市村研（旧荒井研）OBリスト (研究項目は在学時のもの)

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平成20年度卒業生(修士)

• 秋田 貢一
  光化学ディップコート法によるZnS_xO_1-x薄膜の作製とヘテロ接合型太陽電池への応用
  
  
• 小野田 皓司
  アクティブノイズコントロールシステム用アナログ集積回路の実測に基づく回路改善の提案
  
  
• 鬼頭 孝輔
  電流過渡応答法を用いた高抵抗6H-SiCの抵抗率上昇機構の解明
  
  
• 小野 英則
  電気化学堆積法を用いたNi/SiCショットキーダイオードにおける障壁高さ低下位置の可視化
  
  
• S. V. R. Reddy
  Resistivity Measurement using the Microwave Reflection Method
  
  

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平成19年度卒業生(修士)

• 末吉 哲也
  光化学堆積法によるSnO₂薄膜の作製と室温動作水素ガスセンサへの応用
  
  
• 福島 圭亮
  過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージと窒素空孔の評価
  
  
• 前田 元宏
  化学析出法を用いたSnS薄膜の作製とヘテロ構造型太陽電池への応用
  
  
• 王 俊
  電気化学堆積法によるSnO₂薄膜の作製
  
  

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平成18年度卒業生(修士)

• 大畑 宏文
  アナログ回路技術を用いたアクティブノイズコントロールシステムの設計
  
  
• 朝見 政広
  スイッチトカレントを用いた低電圧ΔΣ変調器における誤差補償技術の検討
  
  
• 高城 大
  電気化学堆積法を用いたZnO、SnS薄膜の堆積とヘテロ接合型太陽電池への応用
  
  
• 東 雅紀 光化学堆積法によるZnO薄膜の作製とヘテロ型p-n接合への応用
  
  
• 小川 和也
  電気化学堆積法による4H-SiCの電極作製と堆積膜の分布を利用した結晶欠陥評価
  
  
• 河合 政彦
  μ-PCD法を用いたSiCの過剰キャリア減衰曲線における遅い成分の評価と解析
  
  
• 三鴨 一輝
  ショットキーダイオードを利用したGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価
  
  

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平成17年度卒業生(修士)

• 伊藤　大輔
  光化学堆積法によるSnO₂薄膜の作製と室温動作水素ガスセンサへの応用
  
  
• 大本　郁
  電気化学的に堆積されたSnSおよびZnO薄膜の評価とヘテロ接合への応用
  
  
• 宮脇　哲哉
  光化学堆積法によるZnS薄膜の作製とZnS/SnSヘテロ接合型太陽電池への応用
  
  
• 渡辺　英樹
  プラズマエッチングを施したGaNのμ-PCD法を用いた過剰キャリアライフタイム測定
  
  
• 櫛田　幸一郎
  Design of Low-Voltage ΣΔModulator Using Switched-Current Techniques　(スイッチトカレント技術を用いた低電圧ΔΣ変調器の設計）
  
  
• 根上　崇
  アクティブノイズキャンセリングに関するアナログ集積回路技術の研究
  
  

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平成16年度卒業生(修士)

• 寺田　信行
  スイッチトカレント技術に基づくCMOS型サンプルホールド回路の設計
  
  
• 吉田　晶裕
  熱拡散法によるSGOI作製及びNi, Mgを用いたGaN膜p型化の試み
  
  
• 田中　正一
  4H-SiCエピタキシャル膜に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答法(O-CTS)による評価
  
  
• 森　健洋
  μ-PCD法によるバルクSiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定
  
  

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平成15年度卒業生(修士)

• 小林 良平
  光化学堆積法によるZnS薄膜堆積とヘテロ接合作製の研究
  
  
• 知念 哲
  シミュレーションによるSOI-DMOSFETの降伏電圧の界面電荷依存性の研究
  
  
• 松芳 浩憲
  SOIにおけるMOSダイオードのCV特性に関する研究
  
  
• 吉野 孝博
  ΔΣ変調を用いたパルスニューロンモデルに基づく音源定位用LSIの設計
  
  

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平成14年度卒業生(修士)

• 赤羽 雄一
  音源定位LSIシステムの開発・設計
  
  
• 桑山 年雄
  電界印加μーPCD法によるSOIウェハの界面評価とバルクライフタイム測定
  
  
• 佐藤 直也
  電気化学的に堆積された硫化物半導体SnS薄膜の電気的特性の評価とヘテロ接合作製の試み
  
  
• 柴田 吉健
  薄膜SOI基板中のキャリア分布とAs,Sb拡散に関する研究
  
  
• 中倉 洋平
  光励起容量過渡応答法によるSiCの深い準位の評価
  
  

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平成13年度卒業生(修士)

• 飯田 大介
  Si中砒素、燐、ホウ素拡散分布の実験とシミュレーションによるモデル構築の 研究
  
  
• 市野 知洋
  Si中アンチモン拡散の分布と、酸化膜-Si界面のパイルアップ現象の観測につい ての研究
  
  
• 高木 晋吾
  聴覚支援用LSIのチップ試作と測定に関する研究
  
  
• 冨田 陵一
  非クリーンルーム環境下におけるMOSダイオードの試作と評価に関する研究
  
  
• 山本 忠興
  Si-MOSトランジスタにおける短チャネル効果抑制のためのデバイス構造シミュレー ションに関する研究
  
  

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平成12年度卒業生(修士)

• 伊藤 慎也
  SR法によるSOI中キャリア分布測定におけるアニーリングの影響についての研究
  
  
• 岸野 祐介
  音源定位LSIにおける音圧差抽出回路の設計
  
  
• 祖父江 文孝
  3C-SiC中の深い準位の水素による不活性化の研究
  
  
• 竹内 一喜
  電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製の研究
  
  
• 多田 篤
  電圧印加マイクロ波光導電減衰法によるSiキャリアライフタイムの測定の研究
  
  
• 鶴丸 厚
  非クリーンルーム下におけるTEGによるLSI作製の検討の研究
  
  
• 中島 裕明
  聴覚支援用LSIの信号変換部の試作と設計に関する研究、前荒井研電算機管理者
  
  
• 伴野 泰祥
  SIMSによるSi中P拡散分布の測定についての研究