ワイドギャップ半導体関連実験装置



光励起過渡容量応答(O-CTS)測定装置

(DLTSもできます)

DLTS測定装置

(容量、高速パルス、電流でも測定できます)

キャリアライフタイム測定装置

(励起光をいろいろ用意してます)

電気炉(大)

(1100℃まで到達します)

キャリアライフタイムマッピング装置

(100ミクロン分解能でマッピングします)

赤外加熱炉

(1600℃まで到達します)

SiCの原料、アチソン結晶、昇華法による結晶

京都工繊大名誉教授、西野茂弘先生より寄贈
ガスクロマトグラフィー
(今度写真撮ります...)


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